R-2-2200-2022-0174

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晶圆加工承载恒温模组

Wafer processing bearing constant temperature module

晶圆加工承载恒温模组型号：CPR 8-AIF
一、晶圆加工承载恒温模组用于单晶硅片化学气相沉积（CVD）设备上，其位于化学气相沉积（CVD）设备真空腔体正中间位置，属于气相沉积设备核心部件。CVD是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。在典型的CVD工艺过程中，把一种或多种蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成需要的薄膜。由于CVD技术具有成膜范围广、重现性好等优点，被广泛用于多种不同形态的成膜。
二、晶圆加工承载恒温模组主要由顶部圆盘、凸出柱状连接杆两部分构成。
顶部圆盘内置真空管、恒温加热管。真空管的作用为当气相沉积设备真空腔体为真空状态时，真空腔体中会被注入化学气体，化学气体经过真空管时形成负压，达到吸附并固定待加工单晶硅片的作用。恒温加热管中填充螺旋加热丝及导热固体，经气相沉积设备整机提供电流，电流经过加热丝产生热量用于对单晶硅片进行均匀的加热并保持工艺所需要的恒温，将把产生的热传递到晶圆上，使晶圆受热均匀，与腔体内化学气体在高温作用下发生化学反应并衬底表面形成需要的薄膜。
凸出柱状连接杆内置气体流通管路，与气相沉积设备内管路相连，起到真空排出气体通道作用。同时，带有连接导线、温度传感器及通信光缆，用于感应晶圆加工承载恒温模组的加热温度，负压值以及将感应盾的电信号传输给气相沉积设备主体。另外，凸出柱状连接杆起到物理特定结构在气相沉积设备真空腔体上固定的作用。

晶圆加工承载恒温模组是化学气相沉积（CVD）设备的核心部件，主要由顶部圆盘、凸出柱状连接杆两部分构成。其中，顶部圆盘内置真空管、恒温加热管，真空管用于吸附并固定待加工单晶硅片，恒温加热管用于对单晶硅片进行均匀加热并保持工艺所需要的恒温；凸出柱状连接杆内置气体流通管路，起到真空排出气体通道的作用，同时带有连接导线、温度传感器及通信光缆，用于感应模组的加热温度和负压值，并将感应盾的电信号传输给设备主体，凸出柱状连接杆还起到物理特定结构在设备真空腔体上固定的作用。根据归类总规则一及六，该商品应归入税则号列8486.9099。

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